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如何用直流掃描分析法DC sweep驗(yàn)證晶體管特性

在上篇《活學(xué)活用 LTspice 進(jìn)行電路設(shè)計(jì)— 簡單五步繪制正確電路圖》中,我們分享了只用簡單五步繪制電路圖的方法,展示了如何通過讀取 JIG 電路來輕松模擬一個(gè)開關(guān)穩(wěn)壓器。本文將介紹如何使用預(yù)先準(zhǔn)備好的模擬文件進(jìn)行 DCsweep 直流掃描分析。

打開用于直流掃描分析的文件


(資料圖片僅供參考)

此處以 Educational 文件夾為例,使用該文件夾內(nèi)預(yù)先準(zhǔn)備好的模擬文件進(jìn)行處理。單擊電腦上 “我的文檔”,依次順序點(diǎn)擊 “LTspiceXVII”、“examples”,再到 “Educational”。在 Educational 文件夾內(nèi)打開名為“curvetrace.asc” 的文件,可以得到如下圖 (圖1) 所示的雙極晶體管2N222 的電路圖。以下我們將使用這個(gè)文件來進(jìn)行 DC sweep 直流掃描分析,DC sweep 是通過改變器件的直流值來模擬其特性。

圖1 電阻值變化時(shí)的電壓值

直流掃描分析設(shè)置步驟

如上圖 (圖1) 所示,左邊紅色下劃線 ① 為集電極與發(fā)射極電壓 V1 的設(shè)置,這意味著 V1 將從 0V 至15V 范圍內(nèi)以 10mv 步長進(jìn)行掃描。右鍵單擊文本以打開 “編輯模擬” 命令,選擇 1^st^ Source 以檢查 V1 的配置,如下圖(圖2)紅框部分所示。

上圖 (圖1) 所示中的藍(lán)色下劃線 ② 則為流經(jīng)基極的電流I1的設(shè)置,這意味著 I1 將以 20uA 至 100uA 的 20uA 步長變化。通過在 Edit Simulation Command 中選擇 2^nd^ Source 可以檢查 I1 的配置,如下圖 (圖2) 藍(lán)框部分所示。

圖2 DC Sweep 的配置

檢查晶體管 2N222 I-V 曲線

執(zhí)行 RUN 后將得到如下圖 (圖3) 所示的 I-V 曲線圖。使用這個(gè)文件稍作修改,還可以檢查別的晶體管的 I-V 特性。此外,也可以將電流源I1 更改為電壓源以檢查 FET 的 I-V 特性。

圖3 晶體管的 I-V 特性

總結(jié)

本文介紹了如何用直流掃描分析法 DC sweep 驗(yàn)證晶體管特性。

審核編輯:湯梓紅

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